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外媒报道称，国产存储芯片大厂长江存储近期已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。
此外，由于长江存储128层3D NAND闪存工艺良率已改善至较好水平，长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。预计到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7-8%。
我们再结合今年4月19日长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023，意味着国产存储芯片，在技术水准真正追上全球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。因为国际大厂的3D NAND闪存当前最高量产层数也是192层，美光两早两天推出了232层，要到年底或更晚的时间才会量产交付。 而大厂的NAND闪存最高规格也就是UFS3.1，UFS4.0都还只提概念，预计要到年底甚至更晚时间才能交付。长江存储能推出UFS3.1加上192层NAND闪存，就说明国产NAND存储芯片的技术已经接近世界顶尖水平。 长江存储是2016年7月份成立的，在2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品，于2019年推出了64层TLC技术，后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技术，跳过了96层这个阶段，在2021全面进入到128层堆叠。并且从容量、位密度和I/O速度等核心指标上看，Xtacking的技术性能甚至比大厂的指标略胜一筹。 如今长江存储迈入192层，也就意味着国闪的NAND闪存，正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。仅用5年多时间，国产闪存就从0起步，从技术层面追上了国际顶级大厂，但是在产能和市场份额上还需努力。按照机构的数据，2021年，长江存储的NAND闪存产品在全球的市场份额约为4%，预计到再到2022年预计的7%。
来源：互联网 目前长江存储两期工程，到2025年的总产能也不过30万晶圆/月，相比三星、铠侠等公司来说还是低不少，特别是这几年全球半导体厂商都在扩大产能，2021年全球产能应该会超过200万晶圆/月，未来几年有望超过250万晶圆/月。 |
