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电动车市场对于延长续航里程及缩短充电时间有着极大需求，整车平台高压化趋势愈演愈烈，对此各大车企已陆续推出800V高压车型，例如保时捷Taycan、奥迪Q6 e-tron、现代Ioniq 5等。 据TrendForce集邦咨询研究显示，随着电动车渗透率不断升高，以及整车架构朝800V高压方向迈进，预估2025年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。 800V电气架构的革新将促使耐高压SiC功率器件全面替代Si IGBT，进而成为主驱逆变器标配，因此SiC深受车企追捧。Tier1厂商Delphi已率先实现800V SiC逆变器量产，BorgWarner、ZF、Vitesco相继跟进。
目前来看，电动车已成为SiC核心应用场景，其中OBC（车载充电器）和DC-DC转换器组件对于SiC器件的应用已经相对成熟，而基于SiC的主驱逆变器仍未进入大规模量产阶段。对此， STM、Infineon、Wolfspeed、Rohm等功率器件商已与Tier1及车企展开深入合作，以推进SiC上车进程。 现阶段，上游SiC衬底材料环节将成为产能关键制约点，其制程复杂、技术门槛高、晶体生长缓慢。全球市场上，6英寸SiC衬底已成功实现商业化，一些主流的大厂也陆续推出8英寸样品，进展程度超预期。以现在每个SiC 器件晶圆面积大约32平方毫米，6英寸晶圆可以切割出448个元件，8英寸可以切割845个，晶圆利用率从86%提到93%，成本下降空间大约有30-40%。但是现阶段用于功率器件的N型SiC衬底仍以6英寸为主，8英寸晶圆成为主流还需要数年。而随着电动车市场的爆发，SiC逐渐大规模上车应用，其成本也将直接决定汽车800V高压架构升级进度。
当前，全球碳化硅半导体产业市场快速发展并已迎来爆发期，国际大厂纷纷加大投入实施扩产计划，如碳化硅国际标杆企业美国科锐公司于2019年宣布投资10亿美元扩产30倍之外，而美国贰陆公司、日本罗姆公司等也陆续公布了相应扩产计划。国内宽禁带半导体产业的政策落地和行业的快速发展吸引了如露笑科技、三安光电、天通股份等上市公司进入碳化硅领域；斯达半导今年3月宣布加码车规级SiC模组产线；而比亚迪半导体、闻泰科技、华润微等也有从事SiC器件，此外，天科合达、山东天岳等国内厂商也都走在扩产路上。 |
