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日刊工业新闻12日报道，因云端服务、5G普及，推升NAND Flash中长期需求预估将扩大，因此铠侠计划在岩手县北上市工厂兴建3D NAND Flash新厂房，总投资额预估上看2兆日元（约1182亿元人民币），将于2023年展开营运，期望藉由巨额投资，对抗龙头厂三星以及收购英特尔NAND事业的SK 海力士等对手。 报道指出，铠侠计划在北上工厂新设的第二厂房K2大小预估将达2020上半年开始进行生产的第一厂房K1的2倍。铠侠目前已对邻近K1东侧及北侧约15万平方公尺的土地进行整地工程，且也正协商有意取得邻近K1东南侧的土地，K2预计2022年春天动工兴建，2023年春天左右完工，数个月后开始生产3D NAND Flash。
据报道，K2所需的生产设备主要将从四日市工厂转移过来，因此总额2兆日元的投资，除了含K2厂房、附带设施，也含设备补充四日市工厂的费用。对K2生产设备投资照旧，会和合作伙伴西部数据（Western Digital，WD）共同负担。 报道指出，因产品市况尚未回复，因此铠侠IPO（首次公开发行）计划将较原先规划推延，最快将等到2021年夏天以后。 对手的英特尔也计划砸下 200 亿美元在亚利桑那州建设半导体的全新工厂，台积电也同样打算在亚利桑那州砸下120亿美元来新设工厂。两家公司都计划在2024年展开营运。 从美中贸易战所衍生出的经济安全保障的观点来看，日、美、欧都在重新检视半导体的重要性，供应链的重新建构也都以回归国内为发展方向。 |
