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据中新社报导，国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统日前已受电成功，终端机台的电力供给得到保证，继中国第一代自主可控32层三维闪存芯片产品问世后，长江存储一期10万片生产线正在加快启动，芯片的目标量产指日可待。 资料显示，国家存储器基地项目的实施主体是长江存储科技有限责任公司。据武汉市4月公布的2019年第一季度ZF工作报告执行情况显示，武汉东湖新技术开发区在存储器基地方面取得了重大进展，长江存储器基地一期已实现量产，一季度产能达到5000片/月，办公人数已达3000人。同时国家先进存储产业创新中心也已完成法人主体注册。 此前的报导中曾有提及，长江存储计划在年底量产64层3D NAND，同时将导入Xtacking™架构应用，并规划在2020年跳过96层3D NAND技术进入128层3D NAND阶段。此外，长江存储还将在近期正式推出Xtacking™ 2.0技术，根据推算，长江存储Xtacking™ 1.0导入到64层3D NAND，很可能到128层3D NAND会导入Xtacking™ 2.0，这将大幅度缩短与国际大厂在技术上的差距。 目前，三星、SK Hynix、美光等国际闪存巨头大多正在生产90层堆栈的3D NAND闪存，SK Hynix、美光计划今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存，三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。如果长江存储今年年底能够成功量产64层堆栈的3D NAND闪存，那么与三星等国际存储巨头公司技术差距可以缩小到2年左右。未来长江存储的主要精力将转移到128层工艺的开发上，进一步缩小与国际巨头的差距。 |
