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晶圆代工龙头台积电的先进制程近期又推出新产品，7纳米深紫外DUV（N7）和5纳米极紫外EUV（N5）制程的性能增强版本，被称为N7P和N5P的制程技术，专门为满足需要7纳米设计运算更快，或消耗电量更少的客户。台积电全新N7P制程技术采用与N7相同设计规则，电晶体密度没有改变，但优化前端（FEOL）和中端（MOL）架构，仍然采用经验证的深紫外（DUV）光刻技术，但是可在相同耗能下，将性能提升7%，或者在相同的性能频率下，降低10%的能耗。 台积电特别强调了6nm的N6工艺，N6制程技术是通过极紫外（EUV）光刻技术进行晶圆多层处理，是7纳米的另一个升级版，计划2020年推出量产。同样采用了EUV设备，由于其可以利用N7的全部IP，因此N7的客户可以更便捷地导入，在提高产品性能的同时兼顾了成本。 除了N7P和N6的新制程技术，台积电下一个有显着电晶体密度提升、改进功耗和性能的主要制程节点，就是5纳米的N5制程技术。台积电表示N5制程目前已经导入试产，计划于明年上半年量产。此外，台积电还透露了一个加强版的N5P节点，有点像7纳米节点的N7+。资料显示，N5P在恒定功率下可提高7%的性能，或在相同工作频率下比N5降低约15%的功耗，预计该工艺平台将在N5的下一年推出，也就是2021年量产。 在半导体制造工艺逐渐接近物理极限的情况下，台积电仍然持续推进摩尔定律的演进步伐。目前台积电规划量产的工艺节点已经到5nm，而在研发端已经推进到3nm，日前官宣启动2nm工艺的研发，根据相关人员的介绍，实际上1nm，甚至是亚纳米层次也都有在关注。 |
