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Nexperia 宣布推出其功率 MOSFET 产品NextPower 100 V 系列。该产品系列具备低反向恢复电荷 (Qrr)，且包括以 LFPAK56 (PowerSO8) 封装(结温可达到175°C)的器件。 NextPower 100 V MOSFET 是Nexperia 针对高效开关和高可靠应用的最新一代器件。其具备低 50% 的 RDS(on) 值和强大的雪崩能量指标，因而是电源、电信和工业应用方面的理想选择，尤其适合用于 USB-PD、Type-C充电器和转换器及 48 V DC-DC 转换器。该器件具备低体二极管损耗，其 Qrr 值低至 50 纳库伦 (nC) - 导致较低的反向恢复电流 (IRR)，较低的电压尖峰 (Vpeak) 及降低的振铃纹波(有利于进一步优化死区时间)。 功率MOSFET产品经理 Mike Becker 先生表示: “Qrr 值是常常被关注的参数，该参数对许多设计方面有重大影响。低的尖峰意味着EMI 降低了，同时优化的死区时间进一步实现了的效率增益。这也是我们在Nexperia 所追求的。我们已经展示了低 QRR 值对这两项功能都是有益的。” 新型NextPower 100 V MOSFET有三种可用的封装形式：TO220 和 I2PAK插件封装，及流行的LFPAK56 封装 (贴片封装)。所有封装形式的器件都具备 175°C 的 Tj(max) ，且完全符合 IPC9592 扩展温度要求，因而使NextPower 100 V MOSFET 特别适合于电信和计算方面的应用。 NextPower MOSFET 器件现已量产，可供货。 |
