LTC1860/LTC1861是12位A/D转换器，提供MSOP和SO-8包，并在单个5V电源上工作。在250ksps时，电源电流只有850 μ A。由于LTC1860/LTC1861在转换之间自动降低到典型的1nA电源电流，所以在较低的速 ...

NFVA35065L32整流器是一款先进的汽车智能功率模块 (ASPM)，可为混合动力和电动汽车提供高性能逆变器输出级。该ASPM的每相均设有单独的负IGBT端子，支持各种控制算法。该3相650V和50A整流器集成 ...

ISM330DHCX iNEMO惯性SiP模块采用系统级封装，包含高性能3D数字加速度计和3D数字陀螺仪，适合用于工业物联网 (IIoT) 和工业4.0应用。由于在同一个硅片上集成了加速度计和陀螺仪的传感元件，因此 ...

这款MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与器件性能、可靠性和易用性等特性相结合。该器件采用最先进的沟槽半导体工艺，在应用中损耗最低，运行可靠性最高。CoolSiC非常适合用于高温和恶劣环境应用。 ...

IMBF170R1K0M1 1700V, 1000mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。 参数：IMBF170R1K0M ...

Spartan-6 系列以最低的总成本为大批量应用提供领先的系统集成功能。该系列由 13 个成员组成，可提供从 3,840 到 147,443 个逻辑单元的扩展密度，功耗仅为之前 Spartan 系列的一半，并且连接速 ...

PIC16F648A 是基于闪存的 8 位 CMOS 微控制器。PIC16F627A/628A/648A 可以直接或间接寻址其寄存器文件或数据存储器。 所有特殊功能寄存器 (SFR)，包括程序计数器，都映射到数据存储器中。 PIC16 ...

PSMNxxx N 沟道 MOSFET 包括标准和逻辑电平、常规和增强模式、采用 LFPAK、I2PAK、TO-220 和 DFN3333-8 封装的 N 沟道 MOSFET，可耐受 150°C 或 175°C。PSMNxxx N 沟道 MOSFET 经设计并合格用 ...

ADG5412F 故障保护和检测四通道 SPST 开关，包括四个独立控制的 单刀单掷（SPST）开关，实现高达 −55V 和 +55V 的过压保护。ADG5412F 具有四个开关，通过 逻辑 1 输入打开。当接通时，各通道在 ...

主要特征 开关频率：2MHz/3MHz 效率高达94% 输出峰值电流：高达500mA 工作结温范围：–40°C至125°C 高PSRR（高达90dB） 小型外部输出滤波元件1μH和4.7μF VIN 范围：2.05V至6V 优化的节能模 ...

TUSB1002A是业内首款双通道USB3.2 x1SuperSpeedPlus(SSP)转接驱动器和信号调节器。该器件采用超低功耗架构，由3.3V电源供电，具有很低的功耗。它支持USB3.2低功耗模式，可进一步降低空闲状态下 ...

MachXO2 系列超低功耗、即时启动、非易失性 PLD 有六个器件，密度范围从 256 到 6864 个查找表 (LUT)。 除了基于 LUT 的低成本可编程逻辑之外，这些器件还具有嵌入式块 RAM (EBR)、分布式 RAM、 ...