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IMW65R107M1H 650V NCH SICMOSFET晶体管

作者:mjd888 | 时间:2022-9-23 10:51:56 | 阅读:590| 显示全部楼层
这款MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与器件性能、可靠性和易用性等特性相结合。该器件采用最先进的沟槽半导体工艺,在应用中损耗最低,运行可靠性最高。CoolSiC非常适合用于高温和恶劣环境应用。
产品.png
参数规格:IMW65R107M1H /IMW65R107M1HXKSA1 650V NCH SICMOSFET晶体管
FET 类型:N沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):650 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):107 mΩ
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
Vgs(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):75 W
工作温度:-55 °C ~ 150 °C
封装:TO247-3

明佳达电子和星际金华供求IMW65R107M1H 650V NCH SICMOSFET晶体管
应用
服务器、电信、SMPS
太阳能系统、储能、电池形成
UPS、EV充电、电机驱动器

深圳市明佳达电子/星际金华(供应和回收芯片)qq1668527835
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