IMW65R107M1H 650V NCH SICMOSFET晶体管

这款MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与器件性能、可靠性和易用性等特性相结合。该器件采用最先进的沟槽半导体工艺，在应用中损耗最低，运行可靠性最高。CoolSiC非常适合用于高温和恶劣环境应用。

参数规格：IMW65R107M1H /IMW65R107M1HXKSA1 650V NCH SICMOSFET晶体管
FET 类型：N沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：650 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：107 mΩ
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：75 W
工作温度：-55 °C ~ 150 °C
封装：TO247-3

明佳达电子和星际金华供求IMW65R107M1H 650V NCH SICMOSFET晶体管
应用
服务器、电信、SMPS
太阳能系统、储能、电池形成
UPS、EV充电、电机驱动器