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IMBF170R1K0M1 1700V SICMOSFET晶体管资料

作者:mjd888 | 时间:2022-9-8 17:09:03 | 阅读:341| 显示全部楼层
IMBF170R1K0M1 1700V, 1000mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离,针对反激式拓扑结构进行了优化,适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
产品.png
参数:IMBF170R1K0M1XTMA1 (IMBF170R1K0M1)
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1000毫欧 @ 1A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):5 nC @ 12 V
Vgs(最大值):+20V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):275 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):68W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO263-7-13
封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

特点
革命性的半导体材料——碳化硅
优化用于反激式拓扑结构
12V/0V栅极-源极电压,兼容大多数反激式控制器
非常低的切换损失
基准栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V
完全可控制的dV/dt,用于EMI优化
降低系统复杂性
直接从反激式控制器驱动
提高效率和降低冷却工作量
实现更高频率

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!
深圳市明佳达电子/星际金华(供应和回收芯片)qq1668527835
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