IMBF170R1K0M1 1700V, 1000mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
参数：IMBF170R1K0M1XTMA1 （IMBF170R1K0M1）
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1000毫欧 @ 1A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5 nC @ 12 V
Vgs（最大值）：+20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：275 pF @ 1000 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：68W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-13
封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
特点
革命性的半导体材料——碳化硅
优化用于反激式拓扑结构
12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器
非常低的切换损失
基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
完全可控制的dV/dt，用于EMI优化
降低系统复杂性
直接从反激式控制器驱动
提高效率和降低冷却工作量
实现更高频率
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