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场效应管 PSMN4R8-100BSE MOSFET N-CH 100V D2PAK

作者:mjd888 | 时间:2022-7-9 13:36:02 | 阅读:443| 显示全部楼层
PSMNxxx N 沟道 MOSFET 包括标准和逻辑电平、常规和增强模式、采用 LFPAK、I2PAK、TO-220 和 DFN3333-8 封装的 N 沟道 MOSFET,可耐受 150°C 或 175°C。PSMNxxx N 沟道 MOSFET 经设计并合格用于各种工业、通信和家用设备。
采用 LFPAK 封装的 Nexperia 逻辑电平增强模式 N 沟道 MOSFET 具有超低 QG、QGD 和 QOSS,可在低负载和高负载下实现高系统效率,以及超低 RDS(on) 和低寄生电感。 它们还利用 NextPower 超级结技术针对 4.5V 栅极驱动进行了优化。
采用 I2PAK 和 TO-220 封装的 Nexperia 标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 由于低开关和传导损耗而具有高效率,适用于标准或逻辑电平栅极驱动源。


应用
DC-DC转换器
锂离子电池保护
负载切换
电源 OR-ing
服务器电源
同步整流器
电机控制


明佳达电子 供求PSMN4R8-100BSE MOSFET N-CH 100V D2PAK 场效应管
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):278 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):14400 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):405W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
产品.png
注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!

深圳市明佳达电子/星际金华(供应和回收芯片)qq1668527835
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