搜索
 找回密码
 立即注册

简单一步 , 微信登陆

储能电源MOS管使用推荐合集,电子工程师开发必看贴!【...

作者:LisaRXL | 时间:2022-3-23 14:21:38 | 阅读:1708| 显示全部楼层
储能电源MOS管使用推荐合集,今天我们就来细谈细谈。在社会的飞速发展中,户外出游无论在国外还是国内都有越来越多的自驾爱好者、户外旅行团队等加入,对便携式储能电源的需求自然激增,因此厂家一定要重视产品对MOS管的使用。


毕竟不同类型的储能电源电路设计要使用的MOS管还是有所差异的,因此今天飞虹电子整理了这一份储能电源可使用的国产MOS管合集,供广大电子工程师参考。


目前国产MOS管中,可替换多款场效应管产品使用的具体型号为:FHP120N7F6A、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A,以上8款产品都是可以应用于储能电源中的。






究竟还需要怎么考虑?当然需要结合场效应管的型号参数数据,具体我们来细看一些以上8款产品的核心型号参数情况:


1、FHP120N7F6A场效应管:


最高漏极-源极直流电压为70V,在TC=25℃下,其连续漏极电流为120A,在TC=100℃下,其连续漏极电流为80A。


最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为5.4mΩ;反向传输电容:24pF。






2、FHP170N1F4A场效应管:


具体产品参数,具有172A、100V的电流、电压, RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ,最高栅源电压@贴吧用户_0RbVC7P =±20 V,100%EAS测试,100%Rg测试,100%DVDS热阻测试,优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),一致性高,高可靠性,高雪崩耐量。


FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):172A;BVdss(V):100V。






3、FHP200N6F3A场效应管:


具体产品参数,具有200A、60V的电流、电压, RDS(on) = 3.5mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。


FHP200N6F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):60V。






4、FHP200N4F3A场效应管:


具有200A、40V的电流、电压, RDS(on) = 3.1mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。


FHP200N4F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):40V。






5、FHP170N8F3A场效应管:


最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为185A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=100℃下,其连续漏极电流为117.2A。


最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为2.95mΩ;反向传输电容:97pF。






6、FHP110N8F5B场效应管:


其产品参数:具有147A电流、85V电压, RDS(on) = 5.5mΩ(max),最高栅源电压 @VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。


FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。






7、FHP100N8F6A场效应管:


100N8F6A场效应管的最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为80A,在TC=125℃下,其连续漏极电流为56A。


最大脉冲漏极电流(IDM ):320(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为5.3mΩ;反向传输电容:18pF。






8、FHP60N1F10A场效应管:


FHP60N1F10A具有60A、100V, RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V,具备100% EAS测试,100% Rg测试,储能电源用mos管100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。


FHP60N1F10A的主要封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。






以上8款产品便是国产MOS管在使用过程中的核心数据呈现,具体可有储能电源开发工程师进一步选择使用。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的,详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。


飞虹电子是优质的MOS管研发团队,过程中会有专业的产品工程师与厂家共同维护研发,让企业产品能够得到最优的保障。


除参数适合外,飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给逆变器厂家提供可持续稳定供货。至今已经有33年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。


直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们。



回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册
手机版