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2016年，由于中国几个主要手机大厂（OPPO，VIVO，华为）的需求持续火爆，导致这些工厂给memory大厂的FORCAST数量也是非常巨大，据传2016年下半年的预测量是上半年的二倍。但是三星，海力士，镁光，东芝等大厂的产能有限，并且对于大容量的NAND 制程纷纷转向3D，3D整个转产并不顺利，良率一直不高。以上的所有原因导致2016年DRAM和大容量的NAND Flash市场价格一直上涨，价格居高不下，一些主流晶圆大厂三星，海力士，镁光，东芝等纷纷调整产能，停掉一些利润不大的产线，积极出货大容量DRAM和NAND Flash（EMMC）。 NAND FLASH行业由于大容量的利润随着价格不断飙涨，原厂利润也越来越好，这样导致很多原厂停产了小容量SLC等级的NAND Flash。三星停产K9F1G08U0E，东芝减产小容量NAND flash，海力士也准备停产掉1Gb 的H27U1G8F2CTR。Spansion的小容量产品全线提价，并且告知客户缺货。 停产导致价格持续上涨，给中小型企业带来了巨大的压力，客户急需找到一个能够持续稳定供货，并且有一定技术实力的原厂。环顾整个小容量nandflash市场，目前只有韩国ATO solution公司能够完成这个使命。他们是一家专注于小容量SLC NAND flash的厂商，容量从256Mb到 1Gb都有涉及。而且所有物料能够长期供货。他们具备一条M8晶圆产线使用，并且是自己独立研发的1Gb nandflash的产品，不受到其他公司专利权限制。 以下介绍韩国ATO solution公司产品型号和三星，海力士公司小容量nandflash产品的型号对应情况。 品牌 | ATO solution | Samsung | Hynix | 型号 | AFND1G08U3 | K9F1G08U0E | H27U1G8F2CTR | 擦写寿命 | 10万次 | 5万次 | 5万次 | ECC | 1bit | 1bit | 4bit | 电压 | 3.3V | 3.3V | 3.3V | 位宽 | 8bit | 8bit | 8bit |
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