第35届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)将于2023年5月28-6月1日在中国香港举办。香港科技大学陈敬(Kevin J. Chen)教授担任本届大会主席（General Chair）。
ISPSD从1988年至今，已经有30多年的历史。30多年来，ISPSD极大的推动了全球功率半导体器件和功率集成电路的发展。
作为IEEE旗下的功率半导体旗舰会议，ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、封装和应用等功率半导体领域的所有方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，也是功率半导体器件和集成电路领域在国际上最重要、影响力最强的顶级学术会议，它被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外半导体产业界龙头企业和全球知名学术科研机构争相发表和展示功率半导体前沿技术重要成果的舞台。
—— ISPSD 2023 会议议题——
ISPSD 2023会议议题分为以下六个方向：高压功率器件（High Voltage Power Devices）、低压功率器件（Low Voltage Devices and Power IC Device Technology）、 功率集成电路（Power IC Design）、氮化镓与化合物材料：器件和技术（GaN and Compound Materials: Device and technology）、碳化硅与其他材料（SiC and Other Materials）、模块与封装工艺（Module and Package Technologies）。
在六大议题中，以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体（也就是中国大陆常说的第三代半导体）器件以其独特优势在近年来引发了国内外产业界和学术界的关注，在材料生长、制造工艺与应用等领域蓬勃发展，被认为是下一代电力电子器件和功率集成电路的重要发展方向。凭借其优异的性能（如更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和速率和更优异的抗辐射能力），宽禁带半导体电力电子器件在新能源汽车、分布式并网、新型直流输配电网、数据中心、航空航天和消费类电子等诸多领域都有着广泛的应用前景。
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