IMBF170R1K0M1 1700V SICMOSFET晶体管资料

正文摘要:

IMBF170R1K0M1 1700V, 1000mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。 参数：IMBF170R1K0M1XTMA1 （IMBF170R1 ...