产品介绍
CA-IS3417WT/3417WT-Q1是一款光耦兼容的高压隔离开关，原边输入级为模拟二极管（e-diode），与光MOS继电器相比，它具有更好的一致性、长期可靠性和老化性能。隔离副边集成了背靠背的高压SiC MOS，而SiC MOS具有更好的高温特性和可靠性，使得该器件可以运行在更高环境温度下。
产品特性
• 输出背靠背设计，防止电流反偏• 漏源极电压高达1700V • 超低关断静态电流 1μA Max • 输入级最高反向耐压5.5V • 漏源极支持50mA最大导通电流 • 导通电阻: 300 Ω (max) • 宽工作温度范围：-40 °C ~ 125 °C • 高CMTI：±150 kV/µs（典型） • 基于两层PCB板，可满足CISPR32 Class-B的EMI标准（CA-IS3417WT）和CISPR25 Class-5的EMI标准（CA-IS3417WT-Q1） • 优异的隔离性能（认证中）： - UL 1577 标准下，长达1 分钟的5kVRMS 隔离耐压 - 符合DIN V VDE V 0884-17:2017-01 标准的7070 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM
• RoHS Compliant • 封装形式：SOIC12-WB(WT)
典型应用
• 高压电池包电压采样 • 高压电池包绝缘检测 • 高压继电器故障诊断
应用图
服务支持/样品申请 想了解川土微电子更多的产品/方案信息，请拨打免费热线电话，或用微信扫码联系我们，欢迎垂询！
| 
