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三星明年逆势扩记忆体、半导体产能将增10台EUV机台

分类:数据 | 时间:2022-12-27 15:34 | 阅读:394

摘要: 外媒报导,三星计划用新的设备生产 12 奈米 DRAM,待 P3 厂扩产后,DRAM 月产能将由 2 万片提升至 7 万片。P3 厂为三星在全球最大晶圆厂区,今年将生产先进 NAND Flash 晶片。 ...
据韩媒报导,即便全球经济放缓,三星仍计划明年扩产平泽 P3 厂,包括 12 吋 DRAM 晶片、4 奈米晶片产能,并计划明年增加至少 10 台 EUV 机台。

外媒报导,三星计划用新的设备生产 12 奈米 DRAM,待 P3 厂扩产后,DRAM 月产能将由 2 万片提升至 7 万片。P3 厂为三星在全球最大晶圆厂区,今年将生产先进 NAND Flash 晶片。

在全球经济受通膨等因素笼罩下,各大半导体厂相继缩减资本支出,以度过这波景气寒冬。美光上周才宣布 2023 年资本支出将降至 70-75 亿美元,较 2022 年的 120 亿美元大幅缩减,并暗示 2024 年将大幅调降资本支出。台积电 (2330-TW)(TSM-US) 今年 10 月法说时也宣布,2022 年资本支出将调降至少 10%。

三星先前曾表示,虽然目前市场需求减少,但因应中长期需求复苏,不考虑人为减产,今年资本支出仍预估为 54 兆韩元,按既定计划进行。由于产业缩减投资几乎已成“新趋势”,三星却不随波逐流、背道而驰,格外引起市场关注。

记忆体市场更是面临供过于求困境,但三星也表态不考虑人为减产,市场认为,三星计划利用此次产业景气遭遇寒冬之际,挟资本优势蚕食 SK 海力士、铠侠等其他大厂市占率,巩固产业领导地位。

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