与单层相比,多层二硫化钼的带隙随着层数的增加逐渐降低,但场效应迁移率和电流密度会随之提高。因此,从提升器件性能的角度来考虑,多层二硫化钼是更优的材料。但是,由于热动力学的基本限制,对于如何实现高品质多层二硫化钼晶圆的制备仍是一个巨大挑战。 针对多层二硫化钼晶圆制备的挑战,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室张广宇研究员课题组最近发展了一种逐层外延方法,实现了层数可控的多层二硫化钼4英寸晶圆的可控制备,所外延的多层二硫化钼具有极高的晶体学质量和优异的电学性质。该研究以“Layer-by-Layer Epitaxy of Multilayer MoS2 Wafers”为题发表在《国家科学评论》(Natl Sci Rev 2022; 9(6): nwac077)上,并被香港理工大学柴扬教授在同期Natl Sci Rev 2022: nwac105以“Surface proximity effect enables layer-by-layer growth of MoS2”为题亮点介绍。 |