SuperIC社区_

标题: ATO和主流厂商NANDflash对比 [打印本页]

作者: witte 时间: 2018-6-11 18:08
标题: ATO和主流厂商NANDflash对比

2016年，由于中国几个主要手机大厂（OPPO，VIVO，华为）的需求持续火爆，导致这些工厂给memory大厂的FORCAST数量也是非常巨大，据传2016年下半年的预测量是上半年的二倍。但是三星，海力士，镁光，东芝等大厂的产能有限，并且对于大容量的NAND 制程纷纷转向3D，3D整个转产并不顺利，良率一直不高。以上的所有原因导致2016年DRAM和大容量的NAND Flash市场价格一直上涨，价格居高不下，一些主流晶圆大厂三星，海力士，镁光，东芝等纷纷调整产能，停掉一些利润不大的产线，积极出货大容量DRAM和NAND Flash（EMMC）。

NAND FLASH行业由于大容量的利润随着价格不断飙涨，原厂利润也越来越好，这样导致很多原厂停产了小容量SLC等级的NAND Flash。三星停产K9F1G08U0E，东芝减产小容量NAND flash，海力士也准备停产掉1Gb 的H27U1G8F2CTR。Spansion的小容量产品全线提价，并且告知客户缺货。

停产导致价格持续上涨，给中小型企业带来了巨大的压力，客户急需找到一个能够持续稳定供货，并且有一定技术实力的原厂。环顾整个小容量nandflash市场，目前只有韩国ATO solution公司能够完成这个使命。他们是一家专注于小容量SLC NAND flash的厂商，容量从256Mb到 1Gb都有涉及。而且所有物料能够长期供货。他们具备一条M8晶圆产线使用，并且是自己独立研发的1Gb nandflash的产品，不受到其他公司专利权限制。

以下介绍韩国ATO solution公司产品型号和三星，海力士公司小容量nandflash产品的型号对应情况。

品牌	ATO solution	Samsung	Hynix
型号	AFND1G08U3	K9F1G08U0E	H27U1G8F2CTR
擦写寿命	10万次	5万次	5万次
ECC	1bit	1bit	4bit
电压	3.3V	3.3V	3.3V
位宽	8bit	8bit	8bit

作者: witte 时间: 2018-6-11 18:09
中国几个主要手机大厂（OPPO，VIVO，华为）的需求持续火爆，导致这些工厂给memory大厂的FORCAST数量也是非常巨大，2016年下半年的预测量是上半年的二倍。但是三星，海力士，镁光，东芝等大厂的产能有限，并且对于大容量的NAND 制程纷纷转向3D，3D整个转产并不顺利，良率一直不高。以上的所有原因导致DRAM和大容量的NAND Flash市场价格一直上涨，价格居高不下，一些主流晶圆大厂三星，海力士，镁光，东芝等纷纷调整产能，停掉一些利润不大的产线，积极出货大容量DRAM和NAND Flash（EMMC）。
NAND FLASH行业由于大容量的利润随着价格不断飙涨，原厂利润也越来越好，这样导致很多原厂停产了小容量SLC等级的NAND Flash。三星停产K9F1G08U0E，东芝减产小容量NAND flash，海力士也准备停产掉1Gb 的H27U1G8F2CTR。Spansion的小容量产品全线提价，并且告知客户缺货。
停产导致价格持续上涨，给中小型企业带来了巨大的压力，客户急需找到一个能够持续稳定供货，并且有一定技术实力的原厂。环顾整个小容量nandflash市场，目前只有韩国ATO solution公司能够完成这个使命。他们是一家专注于小容量SLC NAND flash的厂商，容量从32MB到 256MB都有涉及, 32MB/64MB全球只有ATO在量产并且都有工业级和商业级。而且所有物料能够长期供货。他们具备一条M8晶圆产线使用，并且是自己独立研发的128MB nandflash的产品，不受到其他公司专利权限制。
QQ:3073005119

欢迎光临 SuperIC社区_ (/)