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标题: 闪存大事记 [打印本页]

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作者: 存储技术发展    时间: 2022-1-11 17:20
标题: 闪存大事记

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1967年
贝尔实验室江大原（Dawon Kahng，韩裔）和施敏博士（Simon Sze）共同发明了浮栅MOSFET，即所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。

1970年

Dove Frohman发明第一款成功的浮栅型器件—EPROM，通过照射紫外线光擦除，在存储软件中大受欢迎，对英特尔成功推出微处理器至关重要。

1979-81年

美国闪存存储开发商SanDisk(闪迪)创始人，Eli Harari当时受聘于英特尔，发明了世界上首个电可编程和可擦除存储器—EEPROM。

1984年

闪存之父Fujio Masuoka博士在东芝时提交了一份关于浮栅新用途的行业白皮书，称芯片内容可在相机闪光（flash）的瞬间被擦除，闪存（Flash Memory）因此得名。

1986年

英特尔推出闪存卡概念，并成立专注SSD的部门。

1987年

Masuoka博士再接再厉发明了NAND闪存即2D NAND。

1988年

英特尔推出首款商用闪存芯片，成功取代EPROM产品。3月1日，Eli创立Sundisk(后更名为SanDisk闪迪)提供闪存存储产品。

19**

• SunDisk提交系统闪存专利；
• M-Systems成立，不久推出闪存磁盘概念，是闪存SSD的先驱。
• 微软与英特尔合作推出闪存文件系统；
• 英特尔发售512K和1MB NOR Flash，而西部数据与SunDisk完全模拟传统ATA硬盘推出基于NORFlash的SSD；
• 三星和东芝分别推出比NOR Flash成本更低，耐用性更高的NAND闪存，主要适用于如PC卡等大容量存储设备。
  

90年代初

闪存市场规模急速扩张，1991年市场规模达到1.7亿美元，1992年达到2.95亿美元，1993年升至5.05亿美元，1994年达到8.64亿美元，1995年直接达到18亿美元。

1991年

• SunDisk推出首款基于闪存的ATASSD，容量为20MB；
• 10000台IBM ThinkPad掌上笔记本电脑提供SSD取代磁盘的服务支持；
• 东芝发布全球首个4MB NAND闪存。
  

1992年

• AMD和富士通推出首款NOR闪存产品；
• 英特尔推出包括第二代FFS 2，8MB闪存芯片，4MB-20MB线性闪存卡和用于BIOS应用的1MB Boot Block NOR Flash，首次采用内部写状态机管理闪存写算法；
• PC正式开始采用闪存进行BIOS存储。
  

1993年

英特尔推出16MB和32MB NORFlash，同年苹果在自己的Newton PDA中开始使用NOR Flash；

1994年

SunDisk针对SSD应用推出Compact Flash卡和18MB串行NOR Flash芯片。

1995年

SunDisk更名为SanDisk（闪迪）推出34MB 串行NOR Flash，这是首款面向SSD应用的MLC闪存芯片。

1996年

• 三星开始销售NAND闪存；
• SanDisk推出采用MLC串行NOR技术的第一张闪存卡。
  

1997年

第一部手机开始配置闪存，消费级闪存市场就此打开。

1999年

• 东芝和SanDisk合作创建闪存制造合资企业；
• 美光宣布超过10亿的闪存芯片已发售；
• NORFlash营收突破40亿美元。
  

2001年

• 东芝与SanDisk宣布推出1Gb MLCNAND，同年SanDisk推出首款NAND系统闪存产品；
• 三星开始批量生产512MB的闪存设备。
  

2004年

NAND价格首次基于同等密度低于DRAM,成本效应将闪存代入计算领域。

2005年

• 三星率先采用70nm制程量产NAND闪存；
• 美光推出NAND产品；
• 微软发布混合硬盘概念；
• NAND总发售容量超过DRAM。
  

2006年

• SanDisk的重要节点之一—宣布推出单元存储4比特的NAND技术，并收购MartixSemiconductor和M-Systems两家公司；
• 美光和英特尔合作组建IMFT合资公司制造NAND闪存；
• NOR闪存制造商Spansion推出ORNAND闪存，并宣布开始采用65nm制程工艺生产300mm晶圆。
• 三星和希捷展示首款混合硬盘；
  

2007年

• 东芝推出eMMC NAND及首款基于MLC SATA的固态硬盘，同年Fusion-io宣布推出基于 MLC NAND的640 GB ioDrive；
• 美光和英特尔的IMFT开始发售50nm NAND闪存；
• 苹果正式推出初代配置4GB或8GB闪存的iPhone；
• Spansion收购非易失性内存（NVM）知识产权授权供应商Saifun；
• 戴尔对自身笔记本电脑配置加入了SSD选项，将售价低于200美元的上网本加入闪存存储；
• 希捷推出第一款混合硬盘——Momentus PSD。
  

2008年

• Violin首次推出基于全闪存存储设备；
• IBM首次展示了“百万IOPS”的闪存阵列，而EMC正式宣布将基于闪存的SSD用于企业SAN应用；
• 英特尔和美光宣布推出34nm 32Gb MLC NAND，三星宣布推出128GB 2.5英寸MLC SSD，同年东芝首次推出512GBMLC SATA SSD，并宣布开发3D NAND结构BICS；
• 美光推出首款串行NAND闪存；
  

2009年

• 希捷进入SSD市场，同年西部数据收购SiliconSystems也进入了SSD市场。
• 英特尔和美光推出34nm TLC NAND；
• Virident和Schooner针对数据中心推出了第一款基于闪存的应用设备；
• Plaint推出首款SAS SSD。
  

2010年

• 英特尔和美光推出25nm TLC和MLC NAND；
• 闪存芯片制造商Numonyx被美光收购；
• 三星开始生产64Gb MLC NAND；
• 希捷宣布推出首款自管理混合硬盘—Momentus XT。
  

2011年

• LSI收购SandForce；
• SanDisk收购固态硬盘制造商PliantTechnology；
• 苹果收购Anobit；
• Fusion-io收购IO Turbine；
• 希捷推出二代Momentus XT混合硬盘，包含8GB NAND闪存和750GB HDD存储容量。
  

2012年

• SK电信收购海力士半导体的控股权，成立SK海力士；
• 三星创造3D NAND，推出第一代3D NAND闪存芯片，半导体进入立体堆叠时代；
• 美光推出全球首款2.5英寸企业级PCIe SSD；
• SanDisk和东芝宣布推出支持128Gb芯片的19nm闪存，同年，SanDisk还收购了PCIe缓存软件供应商FlashSoft；
• 美光和英特尔推出20nm的128Gb MLCNAND芯片；
• 希捷推出结合闪存和HDD的第三代混合硬盘SSHD；
• Elpida推出新一代内存技术ReRAM；
• OCZ收购闪存存储和虚拟化软硬件开发商Sanrad；
• 三星收购闪存软件开发商NVELO；
• 英特尔收购Nevex并推出CacheWorks；
  

2013年

• 三星宣布第一款32层 SLC V-NANDSSD——850 PRO，同年美国闪存峰会上展示了1TB SSD；
• Diablo Technologies宣布推出内存通道存储技术；
• Everspin宣布发售号称会取代SSD架构中DRAM位置的STT MRAM；
• M.2 PCIe接口正式发布NVMe标准，加速与闪存存储的通信；
• 西部数据和SanDisk采用iSSSD+HDD推出了混合硬盘SSHD，同年东芝也推出了一系列SSHD混合硬盘；
• 西部数据先后收购了闪存软件公司sTec，Virident和Velobit；
• SanDisk收购企业级SSD开发商SMART Storage Systems；
• 美光收购破产的日本芯片制造商尔必达。
  

2014年

• 三星开始发售32层 MLC 3DV-NAND—850 EVO。同年三星，SanDisk和东芝宣布推出3D NAND生产设备；
• IBM宣布其eXFlash DIMM采用SanDisk ULLtraDIMM以及Diablo的内存通道存储技术。
  

2015年

• 英特尔和美光宣布推出3D XPoint Memory，英特尔还基于XPoint技术推出了Optane DIMM和SSD；
• 东芝和SanDisk宣布推出48层 256Gb 3D NAND，英特尔和美光宣布推出384Gb 3DNAND，而三星推出了首款NVMe m.2固态硬盘和48层 V-NAND；
• SanDisk推出InfinitiFlash存储系统；
• 赛普拉斯收购半导体厂商Spansion；
  

2016年

• 武汉新芯集成电路制造有限公司在中国开设第一家NAND闪存工厂；
• 西部数据以190亿美元的价格收购SanDisk；
• Everspin宣布推出256MBMRAM芯片和1 Gb芯片；
• IBM发布TLC PCM存储芯片；
• 英特尔向企业级市场发售3D NAND产品，美光改道发售消费级市场SSD。
• 美光展示768Gb 3D NAND；
  

2017年

• 三星与东芝/西部数据发售96层3D NAND，SK海力士发售72层3D NAND；
• 美光发售与市面上的垂直堆叠有所不同的字符串堆栈3D NAND（可以2*64层成为128层NAND）；
• 英特尔3D XPoint 有了品牌名，正式发售Optane SSD；
• HPE收购闪存厂商Nimble和Simplivity；
• 闪存阵列老牌厂商Violin Memory破产后被私有化。
  

2018年

• 我国国家集成电路产业投资基金一期针对国内半导体行业投资1387亿元，共公开投资23家国内半导体企业；
• 紫光旗下长江存储研发32层3D NAND芯片并量产；
• 美光发售采用1Tb QLC 3D NAND的企业级SSD；
• 英特尔发布Optane DC（数据中心）持久性内存，三星发布Z-SSD；
• 经历N轮争夺战后，贝恩资本财团以180亿美元收购东芝闪存业务；
• 混合闪存初创公司Tintri申请破产，其资产被HPC存储供应商DDN以6000万美元获得。
  

2019年

• 英特尔与美光结束NAND Flash方面合作关系，有传英特尔可能会选择新的合作对象，比如SK海力士；
• AWS宣布收购基于NVMe overfabric（NVMe-oF）技术的全闪存阵列存储公司E8；
• NGD发售计算型存储NVMe SSD。
  

2020年

• 长鑫存储宣布研发出DDR4及LPDDR4X，采用19nm制程工艺的DRAM芯片；
• 长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存颗粒研制成功；
• Everspin开始试生产1Gb容量STT-MRAM存储芯片；
• 赛灵思与三星推出SmartSSD计算型存储硬盘（CSD）；
• 英伟达以400亿美元收购Arm，有业内分析师认为全球半导体格局可能就此改变；
• SK海力士以90亿美元全盘收购英特尔NAND闪存及存储器业务，预计2025年完成；
• AMD以350亿美元的价格收购FPGA厂商赛灵思；
• Marvell以100亿美元的价格收购模拟芯片制造商Inphi；
  

2021年

美光宣布终止3D XPoint技术研发，未来将专注开发使用CXL（Compute Express Link标准）内存产品。英特尔将继续以Optane品牌销售3D XPoint产品。

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