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标题: DDR设计和布线资料汇总 [打印本页]

作者: ra1234 时间: 2017-3-22 13:54
标题: DDR设计和布线资料汇总
本帖最后由 ra1234 于 2017-3-24 11:02 编辑

DDR全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。DDR的标称和SDRAM一样采用频率。现在DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种，由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性，因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些内存生产厂商为了迎合发烧友的需求，还推出了更高频率的DDR内存。其最重要的改变是在界面数据传输上，他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同，仅在时钟上升沿传送。

DDR布局需要遵守几项原则：

考虑拓扑结构，仔细查看CPU地址线的位置，使得地址线有利于相应的拓扑结构
地址线上的匹配电阻靠近CPU
数据线上的匹配电阻靠近DDR
将DDR芯片摆放并旋转，使得DDR数据线尽量短，也就是，DDR芯片的数据引脚靠近CPU
如果有VTT端接电阻，将其摆放在地址线可以走到的最远的位置。一般来说，DDR2不需要VTT端接电阻，只有少数CPU需要；DDR3都需要VTT端接电阻。
DDR芯片的去耦电容放在靠近DDR芯片相应的引脚

DDR走线注意事项:

所有走线尽量短;
走线不能有锐角;
尽量少打过孔;
保证所有走线有完整的参考面，地平面或者电源平面都可以，对于交流信号，地与电源平面是等电位的;
尽量避免过孔将参考面打破，不过这在实际中很难做到;
走完地址线和数据后，务必将DDR芯片的电源脚，接地脚，去耦电容的电源脚，接地脚全部走完，否则在后面绕等长时会很麻烦的;

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作者: ra1234 时间: 2017-3-23 09:16
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