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标题: FD-SOI工艺特点说明 [打印本页]

作者: ra1234 时间: 2017-3-20 14:30
标题: FD-SOI工艺特点说明
FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38个掩模，而某些基板CMOS则需要多达50个掩模。FD-SOI缩减制造工序15%，缩短交货期10%，这两大优点可大幅降低成本。此外，采用FD-SOI工艺制造的芯片在功耗上可以大幅降低，还可以缩小面积节约成本。

与FinFET技术相比，FD-SOI的优势更为明显。FD-SOI向后兼容传统的成熟的基板CMOS工艺。因此，工程师开发下一代产品时可沿用现存开发工具和设计方法，而且将现有300mm晶片制造厂改造成FD-SOI晶片生产线十分容易，因为大多数设备可以重新再用。

FD-SOI 技术锁定以低压VDD 取得高性能的应用，是缓解电池电量与智能手持设备耗电需求之间的矛盾的理想技术。在基板供应、技术平台和设计基础设施方面，产业开发生态系统已准备就绪。FD-SOI 技术特别适用于移动IC，因为移动应用必须将功耗降至非常低的水平才能最大限度延长电池使用寿命。此外，还保留平面晶体管结构的FD-SOI 是从基板晶体管向全耗尽型设计发展进化中的一个阶段。

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作者: 高天凡1993 时间: 2017-4-8 14:53
衡海投资。谢谢楼主啊，受益匪浅啊！

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