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南亚科20纳米DRAM表现优于预期

分类:市场动态 | 时间:2017-11-30 00:00 | 阅读:876

摘要: DRAM厂南亚科第四季20纳米制程发威,不仅20纳米DRAM单位制造成本已明显低于30纳米制程,加上20纳米投片量逐月拉升,将带动毛利率逐季走高到明年第二季,本业获利亦将逐季快速拉高。 ...

DRAM厂南亚科第四季20纳米制程发威,不仅20纳米DRAM单位制造成本已明显低于30纳米制程,加上20纳米投片量逐月拉升,将带动毛利率逐季走高到明年第二季,本业获利亦将逐季快速拉高。

南亚科20纳米DRAM提前在第三季量产,由于良率表现优于预期,第三季已提前达到20纳米单位制造成本低于30纳米的成本交叉目标,9月产出量已超过1万片。第四季DRAM仍供不应求,合约价平均涨幅达1成,南亚科将在12月将20纳米产能直线拉升至3.8万片,不仅毛利率会比第三季的44.2%更好,8Gb DDR4也已顺利投片。

法人表示,南亚科预估第四季位元出货量将较上季增加约15%,再加上平均销售价格较上季调涨5~10%,预估单季合并营收将上看新台币160亿元,季增幅度上看2成。由于20纳米DRAM营收占比提升带动毛利率拉高,单季营业利益将上看新台币50~60亿元,加上12月后将再处分手中美光持股,今年全年可望赚进一个股本。

南亚科DDR4近期已陆续送交电脑及服务器客户进行认证,年底前可望完成认证并正式放量出货。业界指出,南亚科采用20纳米制程投产的8Gb DDR4,可应用于服务器平台,等于重返服务器DRAM市场,由于服务器DRAM价格较传统标准型DRAM高出2~3成,对于明年第一季营收及获利将有明显挹注。

法人预期,南亚科20纳米产出将在第一季持续放量,加上价格持续看涨,不仅将带动营收成长,毛利率也会比第四季更好,完全不受存储器传统淡季及工作天数减少冲击。由此推估,南亚科第一季营业利益可望冲上新台币70亿元,改写单季本业获利新高纪录。

南亚科预计12月10日之后会继续处分手中的美光持股,目前手中持有美光股数达21,966,142股,每股持有成本17.29美元,以美光股价近期涨至48美元左右计算,未实现潜在获利仍高达6.75亿美元,约折合新台币超过200亿元,约可挹注每股税前盈余新台币7.2元。法人预期南亚科第四季将处分部份持股,明年会继续处分,由此推算,南亚科今年及明年都将赚逾一个股本。南亚科不评论法人预估财务数字。

 

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来自: 工商时报
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