台积电N2制程揭开面纱：相较N3性能提升10-15%，功耗降低25-30%

分类：技术 | 时间：2022-6-17 10:20 | 阅读：459

摘要: 台积电在2022技术论坛上正式推出了下一代先进制程N2，即2nm制程工艺。据悉，N2制程不再采用FinFET（鳍式场效应晶体管），已经全面采用纳米片电晶体（Nanosheet）。 ...

台积电在2022技术论坛上正式推出了下一代先进制程N2，即2nm制程工艺。据悉，N2制程不再采用FinFET（鳍式场效应晶体管），已经全面采用纳米片电晶体（Nanosheet）。

按照台积电的技术路线，第一代3nm（N3）定于下半年量产，3nm也会比较长寿，后续还有N3E、N3P和N3X，N2将于2025年量产。

性能方面，台积电披露，N2相较于N3，在相同功耗下，速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。

上一篇：科学家开发出三维垂直场效应晶体管将催生更小、更环保的数据存储器 ... 下一篇：紧跟欧盟Type-C步伐，美国参议员呼吁统一充电器标准

来自: 互联网

官方微信

手机版

商务合作：marketing@superic.com

联系电话：400-816-1216

		自动登录	找回密码
密码			立即注册