高性能半导体极紫外(EUV)探测器是新一代EUV光刻机、等离子体物理、太阳活动观测,以及系列大科学装置等领域所急需的关键部件。 EUV探测器主要针对10-121 nm极紫外谱段光波的剂量与能量探测,由于EUV光子在半导体材料中的穿透深度极浅且光子能量高,导致传统Si基紫外探测器在EUV波段的探测效率偏低且器件性能极易发生退化。因此,研制探测效率高、抗辐射能力强和温度稳定性好的新型EUV探测器一直是学术界和产业界亟待解决的关键问题。 以SiC为代表的宽禁带半导体具有本征载流子浓度低、临界位移能高、可见光盲等系列材料性能优势,是制备新一代半导体EUV探测器的优选材料。 近日,南京大学陆海和张荣教授团队在前期研究基础上,创新设计出一种表面梯度掺杂诱导δn-i-p超浅结SiC二极管,并通过开发选区刻蚀、高温氧化修复与低温金属化工艺,成功实现了国际首支宽禁带半导体pn结型EUV探测器。 |