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海力士投资31亿美元在韩建半导体厂,预计2020年完工

2018-8-2 14:11| 发布者: sara| 查看: 34 |来自: 国际电子商情

摘要: 海力士将在公司总部韩国兴建新的半导体制造工厂,将在2018年底动工、预计于2020年10月完工,投资金额为3.5万亿韩元(相当于31亿美元)...
海力士将在公司总部韩国兴建新的半导体制造工厂,将在2018年底动工、预计于2020年10月完工,投资金额为3.5万亿韩元(相当于31亿美元)......

SK海力士7月27日宣布,将在公司总部(韩国京畿道利川市)兴建新的半导体制造工厂、以满足不断增长的存储器芯片需求。

据了解这座芯片厂将在2018年底动工、预计于2020年10月完工,投资金额为3.5万亿韩元(相当于31亿美元)。SK海力士将依未来市场状况以及自身技术能力来决定新厂的产品组合。

Thomson Reuters报导,SK海力士7月27日并且宣布将斥资1.8万亿韩元(相当于16亿美元)买回自家公司股票。

SK海力士7月26日公布的2018年第2季(截至2018年6月30日为止)财报显示,受益于DARM内存芯片和NAND闪存芯片需求强劲的推动,该公司第二季度净利润达到创纪录的4.3万亿韩元(约合38.4亿美元),同比增长75.4%。

SK海力士表示,公司第二季度净利润较去年同期的2.4万亿韩元增长75.4%,达到4.3万亿韩元(约合38.4亿美元),创出公司单季最高利润;运营利润同比增长82.7%,达到5.5万亿韩元;营收同比激增55%,达到10.3万亿韩元。SK海力士季度营收和运营利润在第二季度首次突破10万亿韩元和5万亿韩元,均创历史新高。

SK海力士预计在9月底完成韩国清州市新晶圆厂无尘室兴建工作、预估明年初起新厂将对公司产能做出贡献。此外,SK海力士预期无锡厂无尘室扩建工程将如期于今年底以前完成。

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