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密度提升2.7倍,英特尔10nm采用第三代FinFET制程

2018-7-5 10:24| 发布者: sara| 查看: 28 |来自: DIGITIMES

摘要: 英特尔(Intel)将10纳米制程的Cannon Lake处理器推迟到2019年推出,不过在Lenovo IdeaPad 330 NB可看到Cannon Lake 10纳米架构的Core i3-8121U,该处理器采双核心支持超执行绪(Hyper Threading)技术(双核心、4执行绪) ...
英特尔(Intel)将10纳米制程的Cannon Lake处理器推迟到2019年推出,不过在Lenovo IdeaPad 330 NB可看到Cannon Lake 10纳米架构的Core i3-8121U,该处理器采双核心支持超执行绪(Hyper Threading)技术(双核心、4执行绪),基本时脉为2.2GHz,超频后可达3.2GHz,提供4MB L3快取,热设计功耗(TDP)为15W。
 
据HotHardWare新闻,TechInSight对Cannon Lake做了剖析报告,指出Cannon Lake的逻辑电晶体密度为每平方公釐1.008亿个电晶体,比14纳米节点密度提升2.7倍,同时采用第三代FinFET制程,将最小栅极距(gate pitch)从70纳米缩到54纳米,最小金属间距(metal pitch)也从52纳米缩到36纳米。
 
Core i3-8121U并未整合图形处理器,这也让外界推论英特尔在10纳米处理器上加入图形架构遇到了麻烦,也是造成Cannon Lake推迟发表的原因之一。
 
英特尔强调其制程比其他对手更先进,并表示应从每平方公釐内的绝对电晶体数量来衡量制程节点,因为其他竞争对手即使电晶体密度没有多大改变,仍不断为制程节点取新的名字,或许这就是开发7纳米的AMD看似要超越英特尔,但英特尔仍对自己有信心的原因。


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