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南亚科:DRAM需求热到第三季度 Q4待观察产能变化

分类:市场动态 | 时间:2018-4-19 10:58 | 阅读:914

摘要: 最新消息,台湾存储器芯片厂厂商南亚科17日举行法说会,公布今年第一季度毛利率冲上51.8%,优于市场预期。南亚科总经理李培瑛分析上季毛利率冲高,主因DRAM涨价及20纳米产品比重快速拉升,但因当季手中握有逾400亿元 ...
最新消息,台湾存储器芯片厂厂商南亚科17日举行法说会,公布今年第一季度毛利率冲上51.8%,优于市场预期。南亚科总经理李培瑛分析上季毛利率冲高,主因DRAM涨价及20纳米产品比重快速拉升,但因当季手中握有逾400亿元等值美元,随着新台币上季升值约2.6%,导致出现11.78亿元汇损,侵蚀每股纯益逾0.3元。

李培瑛表示,第1季DRAM平均报价季增6.1%,加上销售量季增8.4%,20纳米销售比重占比逾六成及研发费用递延等四大有利因素加持,挹注毛利率冲上51.8%,季增2.1个百分点。

对于DRAM市场的未来走势,李培瑛预计到第3季前都将供不应求,第4季则要密切观察主要大厂产能增加状况,以目前韩国三星、SK海力士两大厂均表态将视市场需求而增产研判,预料今年DRAM市况都相当健康稳健。

同时南亚科宣布,上修今年全年DRAM位元销售量,年增率由原订45%升至48%,本季位元销售量季增逾15%;20纳米产能小幅挪移1,000片转作30纳米产品,使月产能由3.8万片降至3.7万片;30纳米月产能则增至3.1万片。同时自行研发的10纳米如既定计划进行,预定2020年小量生产。

因应新台币波动,南亚科采取美元与新台币现金各半的动态平衡策略。他预期本季受汇率因素干扰将可降低,看好本季DRAM平均单价可望季增个位数百分比,加上20纳米制程产品贡献度持续提升及成本下降,毛利率有机会续改写新高,并且有机会一路走高至第3季。

谈及中美贸易战的影响, 李培瑛认为,这是中国与美国双方要逼迫对方上谈判桌的手段,若达成共识,会使中国大陆更重视知识产权,这对DRAM 产业应会带来正面效益。若结果不如预期,恐冲击全球经济,进而影响终端需求转弱,不只是DRAM产业,对所有产业都不利。

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来自: 集微网
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