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存储技术发展
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聚焦存储芯片的技术现状与发展趋势
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湖南大学自研“存算一体”非冯·诺依曼类脑芯片架构
近日,湖南大学电气与信息工程学院刘杰教授课题组自主研制出了“存算一体”非冯·诺依曼类脑芯片架构,用于加速分子动力学高性能科学计算。相较主流Intel CPU、NVIDIA GPU芯片,在保持计算高精 ...
时间:2022-05-18
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NAND Flash种类与特性
NAND Flash随著技术演进,按其存储单元可存放之位元数,主要分成四个大类: SLC是最早期的NAND Flash,每个存储单元仅能存放一个位元,直至目前主流应用已经是TLC及QLC,这四大类闪存的具体特 ...
时间:2022-01-13
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车用存储如何选
2021年初的特斯拉大规模召回事件,除了特斯拉的商誉受损,也让「车用存储」选用问题浮上台面。尤其汽车走向智能化、自动化,早已不是单纯的机械作动,车辆中控、行车辅助、车载监控及车内娱乐系 ...
时间:2022-01-13
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阅读:2511
闪存大事记
1967年 贝尔实验室江大原(Dawon Kahng,韩裔)和施敏博士(Simon Sze)共同发明了浮栅MOSFET,即所有闪存,EEPROM和EPROM的基础。 1970年Dove Frohman发明第一款成功的浮栅型器件—EPROM,通过 ...
时间:2022-01-11
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阅读:2400
eMMC的五种操作模式
[*]Boot Mode 设备在上电后,或者在Host发送CMD0的参数0xF0F0F0F0,或者Host对Rset信号脚触发硬件复位信号进入Boot mode。 [*]Device Identity Mode 当Bootmode操作完成后,或者Host和Device ...
时间:2022-01-11
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阅读:2687
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