成立于1980年的联电已经以超过40亿美金的年营收傲然成为全球瞩目的领先代工厂。目前联电在全球拥有10个晶圆厂、8个销售/服务办公室、以及16000多员工，且产能还在持续扩张。从2014年第二季度开始，联电的28 nm工艺技术进入大量生产。2014年第三季度，40 nm和28 nm领先技术节点占的比例稳步提高，贡献了超过25%的联电季度营收。
联电拥有两座营运中的先进12英寸晶圆制造厂。位于台南的Fab 12A于2002年进入量产，目前已采用先进的28纳米工艺，产能超过50,000片/月；另一座同为量产中的12英寸晶圆厂Fab 12i，则位于新加坡白沙晶圆科技园区，目前产能达45,000片/月的水平。两座晶圆厂具备了尖端自动化设备、成熟缺陷密度、富竞争力的周转时间，以及与客户并肩同步的产能扩充计划，使联电成为可充分满足客户制造需求的晶圆专工绝佳选择。
在中国大陆市场，联电也在持续投入。在2014年第三季度，苏州工厂产能已经达到每月65,000片 8寸晶圆。联电在厦门与厦门ZF合作投资了一个12寸工厂，预计于2016年底投产。
联电持续努力为中国IC设计产业提供最佳的性价比代工服务。针对IoT已经成为中国增长最快的市场，在IIC China 2015 ，联电将概括IoT的发展趋势和商业模式、以及IoT芯片开发者的最佳优化的代工方案。
不同于PC时代或智能手机时代，物联网应用无法提供pre-dominant型的英雄产品。为实现智能生活而诞生的多种设备类型，使得该领域的产品定义非常的广泛。物联网应用范围包括从高性能可穿戴设备(如智能眼镜)、到用于智能家庭智能车辆的搭载WiFi/BLE的IPv6微节点等产品。因此需要以广泛的代工技术进行支持——从传统逻辑平台、到深度融合的专门技术，如超低功耗、CMOS射频、嵌入式闪存、嵌入式CIS、MEMS等。
物联网在价值创造和分配的过程上，和传统IT产品的系统软硬件式的产业链分工存在着非常明显不同的特征和思维。从为了在长时间电池供电的条件下同时提供感测，计算，储存和联网的能力，物联网芯片需要在单芯片上实现多种功能，因此对于工艺的要求形成了超低功耗和特色工艺深度集成等两大挑战。而平台选择是物联网芯片设计成功的关键，晶圆专工业者必须具备一定的开发能量，才能克服这些挑战，推出领先又有竞争力的工艺平台。
作为一个世界领先的代工厂，联电利用其雄厚的研发基础来快速赋予物联网所需要的深度融合技术。联华电子股份有限公司中韩销售服务处资深处长于德洵将在IIC China 2015春季论坛上介绍UMC对物联网工艺方案的看法，和如何针对物联网芯片提出一系列完整的方案。
任何想要为物联网应用开发芯片的IC公司都值得来参加这场关于“物联网芯片设计的最佳性价比工艺”的研讨会。 |
