近年来，与日俱增的芯片供应和快速变化的市场需求令芯片价格的涨跌波动被进一步放大。回顾过往，2019年无疑是全球半导体供应格局的转折点，半导体产业链从高度全球化中惊醒，加速推进国产化、本土化，随后疫情加剧芯片短缺，令市场一度弥漫着overbooking的氛围。不仅如此，2021年在缺芯和低利率的背景下，企业凭借更低的融资成本，大举扩张芯片制造产能，据IC Insights数据显示，2021年全球半导体行业资本支出同比剧增36%至1539亿美元，其中NAND和DRAM资本支出约520亿美元，同比增长22%。
在连续三年积极扩产的背后，芯片供给市场正在发生重大变化。据业界人士指出，2019年以来全球规划的86个芯片制造项目，目前已建成了35个，今年底前将陆续投产，这意味着芯片产能将在今明两年迅速增加。与此同时，国产存储厂商的产能也正在逐渐爬坡，我国存储芯片的自给率将进一步提升。
然好景不长，受疫情和通胀等因素影响，今年以来全球消费需求下滑明显，但过去两年已投入的资本支出正陆续转化成产能不断向市场投放，这对于需求放缓阶段的市场来说无疑是雪上加霜。据了解，韩国作为全球最大的存储芯片生产国，5月芯片库存激增53.4%，为四年来最大增幅，并且自去年10月以来芯片库存一直在同比增长。库存高企之下，无可避免的会出现降价求售、以价换量的情况。
市场行情持续低迷，自7月初存储行情继续下探。据TrendForce集邦咨询最新研究显示，尽管今年上半年的整体消费性需求快速转弱，但先前DRAM原厂议价强势，并未出现降价求售迹象，使得库存压力逐渐由买方转移至卖方端。在下半年旺季需求展望不明的状态下，部分DRAM供应商已开始有较明确的降价意图，尤其发生在需求相对稳健的服务器领域以求去化库存压力，此情况将使第三季DRAM价格由原先的季跌3~8%，扩大至近10%，若后续引发原厂竞相降价求售的状况，跌幅恐超越一成。
而大摩最新报告中也指出，由于库存调整与大陆半导体制造在地化等因素，DRAM、储存型快闪存储器（NAND Flash）、编码型快闪存储器（NOR Flash）等第3季价格修正幅度远超过一周前预期。报告指出，估计NAND芯片第3季价格季减5%至10%，利基型DRAM现货价则季减8%至13%。考量大陆DRAM与NAND芯片产量持续增加，大摩对大中华区存储器产业看法“保守谨慎”，尤其大陆半导体本土化是长期趋势，将冲击南亚科、力积电等竞争力较有限的台湾厂商。 |
