韩国科学技术研究院(KIST)联合研究小组也宣布,通过开发新型超薄电极材料(Cl-SnSe2),可以通过最大限度地减少与半导体界面的缺陷来自由控制 N 型和 P 型器件的特性,实现基于二维半导体的电子和逻辑器件,其电气性能可以自由控制。联合研究团队成功实现了一种高性能、低功耗、互补的逻辑电路,可以执行 NOR 和 NAND 等不同的逻辑运算。
替代硅,2D半导体越来越近
日前在旧金山举行的 IEEE 国际电子设备会议上,英特尔、斯坦福和台积电的研究人员针对制造 2D 晶体管最棘手的障碍之一提出了单独的解决方案:半导体相遇处的电阻尖峰金属触点(sharp spikes of resistance at the places where the semiconductor meets metal contacts)。与此同时,imec 的工程师展示了他们如何为这些新型材料的商业级制造扫清道路,并展示了未来二维晶体管可能有多小,北京和武汉的研究人员也构建了最先进类型的硅器件的二维等效物。