2022年中国及31省市第三代半导体行业政策汇总及解读

国际上一般把禁带宽度（Eg）大于或等于 2.3 电子伏特（eV）的半导体材料称之为第三代半导体材料。常见的第三代半导体材料包括：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌、氮化铝等。其中，从SiC和GaN技术发展相对成熟，已经开始产业化应用，而金刚石、氧化锌、氮化铝等材料尚处于研发起步阶段。

与硅（Si）、锗（Ge）等第一代半导体材料，及砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等特点，其器件具有高频、大功率、低损耗、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优势，可以被广泛应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器固态光源、射频器件等领域，是支持5G移动通信、新能源汽车、高速列车、光伏、风电、智慧电网、国防安全等创新发展的关键核心材料和器件。

由于第三代半导体材料及其制作的各种器件的优越性能，其已成为全球半导体技术研究前沿和各国产业竞争的新焦点，如：美国提出电力美国（Power America），欧盟提出“5G GaN2”等研究计划，英国组建化合物半导体应用创新中心等，促进第三代半导体材料及器件研发。

中国也出台了一系列相关的政策，全面加大了对第三代半导体产业的支持和投入力度，第三代半导体迎来了发展新机遇。本文核心数据：国家层面第三代半导体行业政策汇总。

地方层面第三代半导体行业政策汇总：

1、政策历程图

2016年，《“十三五”国家科技创新规划》，提出发展微电子和光电子技术，重点加强极低功耗芯片、新型传感器、第三代半导体芯片和硅基光电子、混合光电子、微波光电子等技术与器件的研发。发展先进功能材料技术，重点是第三代半导体材料、纳米材料、新能源材料、印刷显示与激光显示材料、智能/仿生/超材料、高温超导材料、稀土新材料、膜分离材料、新型生物医用材料、生态环境材料等技术及应用。

2021年，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。集成电路领域包括设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

2、国家层面第三代半导体行业政策汇总

第三代半导体材料行业是我国重点鼓励发展的产业，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业。为加快推进第三代半导体材料行业的发展，国家层面先后引发《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019版)》、《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》等鼓励性、支持性政策;而地方层面也积极响应，通过政策将实质性的人、财、物资源注入，推动着各地半导体材料产业的集聚和发展。

——《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》政策解读

2020年7月27日，国务院发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》(国发〔2020〕8号)，在财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面出台鼓励引导性政策。为进一步优化我国集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量。政策突出强调了关键核心技术攻关新型举国体制，同时也强调了构建全链条覆盖的关键核心技术研发布局。第三代半导体企业均可享受相关政策优惠。

——国家重点研发计划解读

“十三五”期间，科技部发布的国家重点研发计划项目涵盖了第三代半导体电力电子、微波射频和光电子三大应用方向，紧贴行业发展实际需求和进程。2020年科技部发布的年度重点研发计划关于第三代半导体材料相关的立项项目如下：

“十四五”，国家重点研发计划启动实施2021年“新型显示与战略性电子材料”重点专项，第三代半导体是其重要内容。

——国家层面第三代半导体行业发展目标解读

国务院于2015年5月印发的《中国制造2025》，对第三代半导体做出了目标规划。

《中国制造2025》提出，到2025年，先进半导体材料实现在5G通信、高效能源管理中的国产化率达到50%;在新能源汽车、消费电子中实现规模应用，在通用照明市场渗透率达到80%以上。

3、各省市层面的政策汇总及解读——31省市第三代半导体行业政策汇总

除了国家层面的支持政策外，我国地方各级政府也进一步支持第三代半导体产业的发展，支持的方面包括集群培育、科研奖励、人才培育以及项目招商等，各地通过政策将实质性的人、财、物资源注入，推动着各地产业集聚加速：

——31省市第三代半导体行业发展目标解读

2020年10月29日，第十九届中央委员会第五次全体会议审议通过了《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标的建议》。

建议明确提出，十四五规划中提到的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)均为第三代宽禁带半导体材料。而后全国各地也紧随其后，针对性的发布了各自的第十四个五年规划和二〇三五年远景目标建议，其中多地明确提出将聚焦发展第三代半导体产业。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》，同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、产业链咨询、产业图谱、产业规划、园区规划、产业招商引资、IPO募投可研、IPO业务与技术撰写、IPO工作底稿咨询等解决方案。