DDR3 ZQ校准功能介绍
本帖最后由 huhaiqiang 于 2016-9-28 17:31 编辑ZQ校准是DDR3新增的一功能，为了提高信号完整性，并增强输出信号强度，DDR内存中引入了终端电阻和输出驱动器。而为了在温度和电压发生变化的情况下仍能保持信号完整性，就需要对这些终端电阻和输出驱动器进行定期校准。ZQ目的是校准。用于动态调整DDR3的Ron及ODT阻值大小。
DDR3 的ZQ引脚须外接一个240R_1%精度的电阻。
这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine)来自动校验数据输出驱动导通电阻Ron与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期，在其它情况下用64个时钟周期）对导通电阻Ron和ODT电阻进行重新校准。
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